[发明专利]一种钚材料中子辐射场计算方法在审
| 申请号： | 201710954428.3 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107807378A | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 朱敏;杨永新;王丽婷;黄桂;王宋;赵大磊;马敬伟;詹维;徐子剑 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军海军工程大学 |
| 主分类号： | G01T3/02 | 分类号： | G01T3/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 王莹,吴欢燕 |
| 地址： | 430033 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及钚材料中子辐射场计算方法，包括如下步骤分析高浓缩钚材料中的放射性核素，以及可能产生的中子；分析高浓缩钚材料中子产生机理，分别计算得出钚同位素自发裂变中子产额、钚α衰变过程放出的α通过(α，n)反应的中子产额；分析中子通过单位厚度材料时，从高于某能量阈的中子群中分出来而进入较低能量的中子群中支的几率，基于分出截面理论，计算得出高浓缩钚中子剂量当量率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 中子 辐射 计算方法 | ||
【主权项】：
一种钚材料的γ辐射场计算方法，包括如下步骤：步骤一，高浓缩钚材料中子辐射特性分析，分析高浓缩钚材料中的放射性核素，以及可能产生的中子；步骤二，高浓缩钚中子辐射场形成机理分析，分析高浓缩钚材料中子产生机理，分别计算得出钚同位素自发裂变中子产额、钚α衰变过程放出的α通过(α，n)反应的中子产额；步骤三，高浓缩钚中子辐射场计算，分析中子通过单位厚度材料时，从高于某能量阈的中子群中分出来而进入较低能量的中子群中支的几率，基于分出截面理论，计算得出高浓缩钚中子剂量当量率；其特征在于，所述步骤三高浓缩钚中子辐射场计算采用基于分出截面法的高浓缩钚材料外中子空气吸收剂量率计算方法，具体为：H·=fS4πR2dHBne-ΣRr---(1)]]>式中：为剂量当量率，单位为Sv/s；f为中子辐射强度系数，无量纲。其值为贮存后高浓缩钚材料的衰变热功率与初始状态下衰变热功率的比值；S为中子源强，即源放射性活度与中子产额的乘积，单位为s‑1；dH为中子剂量当量换算因子，单位为Sv·m2；r是屏蔽层厚度，单位为m；R是距源的距离，单位为m；Bn是中子积累因子，无量纲；ΣR是含氢材料的宏观分出截面，单位为m‑1。
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