[发明专利]超薄超平晶片基板及其制备方法

摘要

提供了一种制备超薄超平晶片基板的方法及一种超薄超平晶片基板。该方法包括：准备原始基板和衬底基板；利用离子注入法处理原始基板，以形成薄膜层和余质层以及位于薄膜层与余质层之间的注入层；在衬底基板的一个表面上形成隔离层；使原始基板的薄膜层的表面与衬底基板的隔离层的表面接触，以形成键合体；将键合体上的原始基板研磨至目标厚度；将键合体加热到实现薄膜层分离的温度，并保温预定时间，从而同时形成超薄超平晶片基板以及包括具有薄膜层、隔离层以及衬底基板的三层结构的纳米级单晶复合薄膜基板。

主权项

1.一种制备超薄超平晶片基板的方法，所述方法包括以下步骤：准备原始基板和衬底基板；利用离子注入方法将离子注入到原始基板的一个表面，从而在原始基板中形成薄膜层和余质层以及位于薄膜层与余质层之间的注入层，注入的离子分布在注入层内；使原始基板的形成有薄膜层的表面与衬底基板的一个表面接触，以利用晶片键合法形成键合体；将键合体上的原始基板研磨至目标厚度，并对研磨表面进行化学机械抛光；以及将经过研磨并抛光后的键合体加热到实现薄膜层分离的温度并保温预定时间，以使余质层从原始基板剥离，从而同时形成超薄超平晶片基板和纳米级单晶复合薄膜基板，其中，纳米级单晶复合薄膜基板包括所述薄膜层和所述衬底基板，其中，超薄超平晶片基板包括从原始基板剥离的余质层。