[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710954749.3 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107611096A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠;吴政达 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/98 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆级芯片封装结构及其制备方法，晶圆级芯片封装结构包括半导体芯片；重新布线层，包括低k介质层、位于低k介质层内及低k介质层上表面的金属线层；焊料凸块，位于重新布线层的上表面，且与金属线层电连接；第一保护层，位于半导体芯片的外围；第二保护层，填充于焊料凸块之间及外围，且覆盖裸露的低k介质层及金属线层。本发明通过在低k介质层及金属线层上表面及外围形成第二保护层，即可以有效避免外部的水汽渗入到低k介质层内使得低k介质层更易破裂，又可以起到稳固低k介质层，防止外力对低k介质层破坏的作用，从而使得低k介质层在切割过程中不会出现裂痕，进而确保了封装芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述晶圆级芯片封装结构包括：半导体芯片；重新布线层，包括低k介质层、位于所述低k介质层内及所述低k介质层上表面的金属线层；所述低k介质层位于所述半导体芯片的正面，且所述金属线层与所述半导体芯片电连接；焊料凸块，位于所述重新布线层的上表面，且与所述金属线层电连接；第一保护层，位于所述半导体芯片的外围，且将所述半导体芯片的侧面塑封；第二保护层，填充于所述焊料凸块之间及外围，且覆盖裸露的所述低k介质层及所述金属线层。
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