[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710954765.2 申请日: 2017-10-13
公开(公告)号: CN107611097A 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠;吴政达 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/98;H01L21/683
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种晶圆级芯片封装结构及其制备方法,包括半导体芯片;重新布线层,位于半导体芯片的正面;焊料凸块,位于重新布线层远离半导体芯片的表面;粘片膜,位于半导体芯片的背面;保护材料层,塑封于半导体芯片、重新布线层、焊料凸块及粘片膜的外围,保护材料层的上表面不高于焊料凸块的上表面,且保护材料层的下表面与粘片膜的下表面相平齐。本发明通过在半导体芯片的背面设置粘片膜,可以确保在后续的塑封等制备过程中半导体芯片不会发生晃动;可以防止半导体芯片的背面发生破裂;保护材料层将半导体芯片及介质层的侧壁塑封,即可以有效避免外部的水汽渗入到介质层内,使得介质层不容易破裂,又可以防止外力对所述介质层破坏的作用。
搜索关键词: 晶圆级 芯片 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种晶圆级芯片封装结构,其特征在于,所述晶圆级芯片封装结构包括:半导体芯片;重新布线层,位于所述半导体芯片的正面,且与所述半导体芯片电连接;焊料凸块,位于所述重新布线层远离所述半导体芯片的表面,且与所述重新布线层电连接;粘片膜,位于所述半导体芯片的背面;保护材料层,塑封于所述半导体芯片、所述重新布线层、所述焊料凸块及所述粘片膜的外围,所述保护材料层的上表面不高于所述焊料凸块的上表面,且所述保护材料层的下表面与所述粘片膜的下表面相平齐。
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