[发明专利]一种金刚石对顶砧中原位测量材料热电性能的方法在审
| 申请号： | 201710955271.6 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107765161A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 吴雷;代立东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院地球化学研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01N25/20 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所52100 | 代理人： | 商小川 |
| 地址： | 550081 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了提供一种金刚石对顶砧中原位测量材料热电性能的方法，它包括步骤1、绝热绝缘复合垫片的制作；步骤2、在金刚石砧面进行W‑Ta薄膜热电偶的沉积；步骤3、在高压下对被测样品进行塞贝克系数测量；步骤4、高压下样品的电导率测量；解决了现有技术中虽然利用DAC，人们能够观察超高压环境下物质的结构和物理性质的变化。而绝大多数的半导体材料在高压下都会发生能带的减小和电导率的增大，这就为提高半导体材料的热电性能提供了绝佳的实验手段。然而，在现有的实验技术中，没有一套成熟的在DAC中测量样品热电性质的测量方法，导致不能对材料热电性能进行简单便捷的测试等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 顶砧中 原位 测量 材料 热电 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种金刚石对顶砧中原位测量材料热电性能的方法，它包括：步骤1、绝热绝缘复合垫片的制作；步骤2、在金刚石砧面进行W‑Ta薄膜热电偶的沉积；步骤3、在高压下对被测样品进行塞贝克系数测量；步骤4、高压下样品的电导率测量。
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