[发明专利]一种基于β型碲化硅材料的热电转换元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710956939.9 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN107706297B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 王庶民;梁丹;张丽 | 申请（专利权）人： | 超晶科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/22;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 戴凤仪 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及热电转换元件领域，提供了一种基于β型碲化硅材料的热电转换元件及其制备方法，所述热电转换元件由P型半导体和N型半导体组成，其中所述P型半导体和所述N型半导体以串联方式电连接并以并联方式热连接，所述P型半导体包含β型碲化硅材料。本发明所提供的热电转换元件具有高塞贝克系数，高电导率及低热导率低。因此本发明所提供的热电转换元件具有较高的热电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 型碲化硅 材料 热电 转换 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于β型碲化硅材料的热电转换元件，由P型半导体和N型半导体组成，其中所述P型半导体和所述N型半导体以串联方式电连接并以并联方式热连接，所述P型半导体包含β型碲化硅材料；所述β型碲化硅材料具有褶皱蜂窝结构，且所述β型碲化硅材料的空间群结构为P3m1；所述P型半导体还包含三价杂质材料；所述三价杂质材料为硼和/或镓；所述硼和/或镓的体积浓度为3.7×1020cm‑3。
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