[发明专利]一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺

摘要

本发明公开了一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，该扩散工艺是在扩散炉中对晶体硅进行掺杂处理，包括如下流程充气—恒压—放舟—升温过程—恒温过程—氧化—预扩散—升温分布—第一次恒温分布—扩散—第二次恒温分布—降温—再次充气—取舟，本发明的扩散工艺，它不仅能很好的解决扩散的分布不均匀度，还可以更好的做出低表面浓度深结，做出较高的方阻，有效的改善修复表面损伤，提升电性能。

主权项

一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，其特征在于，该扩散工艺是在扩散炉中对晶体硅进行掺杂处理，包括如下流程：充气—恒压—放舟—升温过程—恒温过程—氧化—预扩散—升温分布—第一次恒温分布—扩散—第二次恒温分布—降温—再次充气—取舟，其中：（1）充气向扩散炉石英舟内充气，充气时间为60s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；（2）恒压保持炉内恒压，恒压时间为20s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000 ml/min；（3）放舟将硅片放入石英舟，控制放舟时间为600s，炉内温度为750～780℃，小氮流和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；（4）升温过程升温时间为400s，炉内温度为780～800℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；（5）恒温过程恒温时间为400s，炉内温度为780～800℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；（6）氧化保持上述温度，通入干氧、小氮及大氮，进行推进；氧化时间为500s，炉内温度780～800℃，小氮流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min，干氧流量为440～560ml/min；（7）预扩散扩散时间为400s，炉内温度为780～800℃，小氮流量为100～150ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min，干氧流量为440～560ml/min；（8）升温分布升温分布时间为350s，炉内温度为820～840℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；（9）第一次恒温分布恒温分布时间为350s，炉内温度为820～840℃，小氮流量为0ml/min；干氧流量为440～560ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；（10）扩散扩散时间为300s，炉内温度为820～840℃，小氮流量为100～150ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min，，干氧流量为440 ～ 560ml/min；（11）第二次恒温分布恒温分布时间为1200s，炉内温度为840～860℃，小氮流量为0ml/min，干氧流量为440～560ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；（12）降温降温时间为2400s，炉内温度为700～750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/mi，大氮流量为大氮流量为1800～3000ml/min；（13）再次充气充气时间为60s，炉内温度为700～750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为大氮流量为1800～3000ml/min；（14）取舟将硅片从石英舟内取出，取舟时间为600s，炉内温度为700～750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min。