[发明专利]一种数模混合多环路衬底动态偏置LDO电路

摘要

本发明公开了一种数模混合多环路衬底动态偏置LDO电路，包括功率管MP、pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门AND1、AND2。本发明创造的LDO电路利用三个控制环路来应对负载电压的变化，提供负载瞬态响应能力，通过仿真，本发明创造的LDO电路与现有LDO电路对比提高了10％的负载瞬态响应能力。本发明创造的LDO电路结构可广泛应用于SoC芯片。

主权项

一种数模混合多环路衬底动态偏置LDO电路，包括：功率管MP，其特征在于，还包括：pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门AND1、AND2，所述pMOS管M1、M3、功率管MP的源极分别与电源VDD连接，所述pMOS管M1的栅极与所述非门INV3的输出端连接，所述非门INV3的输入端与所述与门AND2的输出端连接，所述与门AND2的一输入端与所述非门INV4的输出端连接，所述与门AND2的另一输入端分别与所述非门INV4的输入端、所述非门INV5的输出端连接，所述非门INV4的输入端与所述非门INV5的输出端连接，所述非门INV5的输入端与所述非门INV6的输出端连接，所述非门INV6的输入端、所述nMOS管M4的源极、所述nMOS管M6的漏极、所述pMOS管M5的漏极均连接于第二节点，所述nMOS管M2、M4的漏极、所述功率管MP的栅极、所述pMOS管M1、M3的漏极、所述非门INV2的输入端均连接于第一节点，所述非门INV2的输出端分别与所述非门INV1的输入端、所述与门AND1的一输入端连接，所述非门INV1的输出端与所述与门AND1的另一输入端连接，所述与门AND1的输出端与所述nMOS管M2的栅极连接，所述功率管MP的漏极、所述pMOS管M5的源极、所述nMOS管M7的漏极、所述nMOS管M7、M8的栅极均连接于所述LDO电路的电压输出端，所述nMOS管M7的源极、所述运算放大器的反相输入端、所述nMOS管M8的漏极均连接于第三节点，所述运算放大器AMP的输出端与所述功率管MP的衬底连接，所述运算放大器AMP的同相输入端与基准电压连接，所述pMOS管M3、M5、nMOS管M4、M6的栅极均连接偏置电压，所述pMOS管M1、M3的衬底分别与电源VDD连接，所述nMOS管M2、M4、M6、M7、M8的衬底分别与地GND连接，所述nMOS管M2、M6、M8的源极分别与地GND连接。