[发明专利]基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法

摘要

基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法，本发明涉及基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法。本发明的目的是为了解决目前选择性激光烧结技术制备多孔SiC陶瓷时，成型件孔隙率低的问题。本发明方法为绘制多孔SiC陶瓷的三维模型、设定SLS成型机的参数、混合SiC粉末、粘结剂粉末和造孔剂、制得陶瓷坯体、进行CIP包套然后冷等静压致密化处理，进行脱脂预烧结，再在有氧环境下进行烧结，即完成。操作简便，成型速度快，原料利用率高，有效地提高多孔SiC陶瓷的孔隙率，最终成型件的孔隙率为70％～80％，且具备一定的强度。本发明应用于多孔SiC陶瓷的制备领域。

主权项

基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：一、绘制多孔SiC陶瓷的三维模型，然后将其转换为STL格式文件；二、将STL格式文件导入SLS成型机，设定扫描速度为1000mm/s～2000mm/s，每层厚度为0.05mm～0.2mm，预热温度为40～70℃，然后利用计算机分层切片软件将模型处理成设定厚度的薄片；三、在混料机中倒入SiC粉末、粘结剂粉末和造孔剂，进行混粉，得到混合均匀的复合粉末；四、将复合粉末加入到SLS成型机的工作缸中，利用滚轴将粉末铺平，静置30min，然后将工作缸加热到步骤二设定的预热温度，开始加工，激光烧结，送粉缸送粉铺粉，然后逐层烧结，制得陶瓷坯体；五、打开SLS成型机的工作箱门，取出后清除多余粉末，在室温环境下将陶瓷坯体静置冷却，得到初始形坯；六、制作初始形坯的CIP包套，对其进行包套，然后进行冷等静压致密化处理，得到处理后的陶瓷坯体；七、将处理后的陶瓷坯体放入真空烧结炉中，进行脱脂预烧结，得到多孔SiC陶瓷；八、将多孔SiC陶瓷在有氧环境下进行烧结，得到多孔SiC陶瓷。