[发明专利]晶体层叠结构体在审
| 申请号： | 201710964931.7 | 申请日： | 2012-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107653490A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B25/18;C30B25/20;C30B29/16;C30B29/22;H01L21/02;H01L29/04;H01L29/24;H01L29/66;H01L29/778;H01L29/812;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所11323 | 代理人： | 徐谦,刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够使晶体高效地外延生长在β‑Ga2O3系基板上得到高品质的β‑Ga2O3系晶体膜的晶体层叠结构体。提供晶体层叠结构体(2)，包含具有从(100)面旋转50°～90°的面作为主面(10)的β‑Ga2O3系基板(1)；和形成在β‑Ga2O3系基板(1)的主面(10)上的β‑Ga2O3系分子束外延晶体膜(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 层叠 结构 | ||
【主权项】：
一种晶体层叠结构体，包含：β‑Ga2O3系基板，具有从(100)面旋转50°～90°而成的面作为主面；和β‑Ga2O3系分子束外延晶体膜，形成在所述β‑Ga2O3系基板的所述主面上。
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