[发明专利]一种LED芯片的光刻结构制作方法

摘要

本发明提供的一种LED芯片的光刻结构制作方法，先制成发光二极管外延片；然后在外延片上制作金属电极层和光刻胶层；然后采用可变尺寸结构的光刻版作为掩膜，对光刻胶层进行曝光，得到尺寸变化的光刻胶图形；然后进行显影和蚀刻工艺，得到一致分布的金属电极图形。本发明提供的一种LED芯片的光刻结构制作方法，结合大尺寸芯片金属层蚀刻的边缘侧向蚀刻效应特性，采用图形尺寸逐级增加的同心圆形分布光刻区域，直接补偿了侧向金属蚀刻造成的尺寸差异，提高了电极图形尺寸的一致性，避免了圆片边缘和中间区域的光电特性参数差异加剧，有利于分析芯片自身的均匀性，提高了芯片的成品良率。

主权项

1.一种LED芯片的光刻结构制作方法，其特征在于：包括以下步骤：第一步：在GaAs基板上制备发光二极管外延片；第二步：在外延层上制作金属层；第三步：在金属层上涂布光刻胶层；第四步：采用光刻版作为掩膜，对光刻胶层进行曝光，得到所需要的光刻胶图形，其中，光刻版是按照预先设定的芯片电极图形和芯片面积的需要进行定制；第五步：对经过曝光的光刻胶层进行显影；第六步：蚀刻带有光刻胶电极图形的金属层；第七步：去除光刻胶层，得到一致分布的金属电极图形。