[发明专利]一种n型黑磷场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201710966606.4 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107785434A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王权;曾元明;郑波;司乃潮;王江祥;韦国成 | 申请（专利权）人： | 江苏大学;镇江市电子管厂 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/45;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 212000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种n型黑磷场效应晶体管的制备方法，该方法针对目前普遍的p型黑磷场效应晶体管，提供了一种新型黑磷场效应晶体管的制备思路。通过机械剥离法获得黑磷薄膜，并转移到SiO2/Si衬底上，利用Al/Cr/Au作为电极，制备成一种n型黑磷场效应晶体管。由于Al具有较低的功函数，能够与黑磷的电子激发能良好匹配，保证了电子在黑磷沟道内的传输，使其成为载流子类型以电子为主的具有高性能的n型黑磷场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 黑磷 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种n型黑磷场效应晶体管的制备方法，其特征是按以下步骤：(1)在n型硅表面热氧化生长SiO2氧化层，在氩气环境下对其进行退火制备成衬底，并对其进行清洗。(2)利用机械剥离法制备黑磷薄膜，将黑磷薄膜转移到预先制备的SiO2/Si衬底上。(3)利用电子束蒸镀方法在黑磷沟道两侧沉积Al/Cr/Au作为电极，制备成为源极和漏极，形成以Al/Cr/Au为电极的黑磷场效应晶体管。
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