[发明专利]一种低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法有效
申请号: | 201710968240.4 | 申请日: | 2017-10-18 |
公开(公告)号: | CN107857581B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 苏桦;唐晓莉;张怀武;荆玉兰;李元勋;徐自强 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/26 | 分类号: | C04B35/26;C04B35/622;C04B35/64 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 闫树平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明属于电子陶瓷材料及其制备技术领域,具体涉及一种低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法。本发明材料的分子结构表达式为Ni |
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搜索关键词: | 一种 低温 烧结 nicuzn 铁氧体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种低温烧结NiCuZn铁氧体材料,其特征在于:主相为尖晶石结构,分子结构表达式为Ni0.29‑x‑yZn0.53+xCu0.18+yFe1.95O4,x=0~0.02,y=0~0.02;由分析纯的原料NiO、ZnO、CuO、Fe2O3按摩尔比NiO:ZnO:CuO:Fe2O3=(0.29‑x‑y):(0.53+x):0.18+y:0.975的比例配制;采用BBSZ玻璃、Co2O3、TiO2和CaCO3作为掺杂剂,其中BBSZ玻璃:1.6~2wt%,Co2O3:0.1~0.2wt%,TiO2:0.8~1.2wt%,CaCO3:0.3~0.5wt%;起始磁导率μi为80~96,抗直流偏置特性H70%为950~800A/m,20℃~80℃比温度系数≤2×10‑6/℃,900℃低温烧结。
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