[发明专利]一种低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法

摘要

本发明属于电子陶瓷材料及其制备技术领域，具体涉及一种低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法。本发明材料的分子结构表达式为Ni0.29‑x‑yZn0.53+xCu0.18+yFe1.95O4(x＝0～0.02；y＝0～0.02)，同时采用BBSZ玻璃、Co2O3、TiO2和CaCO3作为掺杂剂。通过以上材料配方、工艺的优化设计并结合4种掺杂剂的组合改性，以实现900℃的低温烧结，并兼顾起始磁导率μi在80～96之间；抗直流偏置磁场H70％在950～800A/m，比温度系数≤2×10‑6/℃(20℃～80℃)。本发明很好地兼顾了高起始磁导率、高抗直流偏置磁场以及高温度稳定性的综合要求，其生产原料便宜，工艺简单，操作方便且成本低，可广泛应用于研发生产高可靠性的LTCC片式电感/磁珠产品。

主权项

一种低温烧结NiCuZn铁氧体材料，其特征在于：主相为尖晶石结构，分子结构表达式为Ni0.29‑x‑yZn0.53+xCu0.18+yFe1.95O4，x＝0～0.02，y＝0～0.02；由分析纯的原料NiO、ZnO、CuO、Fe2O3按摩尔比NiO：ZnO：CuO：Fe2O3＝(0.29‑x‑y):(0.53+x):0.18+y:0.975的比例配制；采用BBSZ玻璃、Co2O3、TiO2和CaCO3作为掺杂剂，其中BBSZ玻璃：1.6～2wt％，Co2O3：0.1～0.2wt％，TiO2：0.8～1.2wt％，CaCO3：0.3～0.5wt％；起始磁导率μi为80～96，抗直流偏置特性H70％为950～800A/m，20℃～80℃比温度系数≤2×10‑6/℃，900℃低温烧结。