[发明专利]FINFET器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710968319.7 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN108122776B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 林育樟;聂俊峰;张惠政;张添舜;简薇庭;曹志彬;李后儒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种FinFET器件及形成FinFET器件的方法。该方法包括在鳍上方且沿着鳍的侧壁沉积伪栅极，该鳍从半导体衬底向上延伸，沿着伪栅极的侧壁形成第一栅极间隔件，以及用碳等离子体掺杂第一栅极间隔件以形成碳掺杂的栅极间隔件。该方法还包括形成与鳍的沟道区相邻的源极/漏极区，并且将碳从碳掺杂的栅极间隔件扩散到鳍的第一区域中以提供第一碳掺杂区。第一碳掺杂区设置在源极/漏极区的至少部分和鳍的沟道区之间。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成鳍式场效应晶体管器件的方法，包括：在鳍上方且沿着所述鳍的侧壁沉积伪栅极，所述鳍从半导体衬底向上延伸；沿着所述伪栅极的侧壁形成第一栅极间隔件；用碳等离子体掺杂所述第一栅极间隔件以形成碳掺杂的栅极间隔件；形成与所述鳍的沟道区相邻的源极/漏极区；以及碳从所述碳掺杂的栅极间隔件扩散到所述鳍的第一区域中以提供第一碳掺杂区，其中，所述第一碳掺杂区设置在所述源极/漏极区的至少部分和所述鳍的沟道区之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
