[发明专利]一种刺梨组培苗低温炼苗的方法

摘要

一种刺梨组培苗低温炼苗的方法，首先把刺梨组培苗从组培苗生长的环境温度中移除，单独进行封闭式酒精喷洒,高锰酸钾+甲醛熏蒸完成后将组培瓶苗移入低温培养室，培养室温度先降至15℃‑18℃，培养5‑7d后，待刺梨组培苗叶片逐渐由浅绿变深,茎尖不再萌发新嫩芽,茎段表面出现少许反光后，培养室温度调至10℃‑13℃，光照调至1500‑1800Lx，继续培养8‑10d。待组培苗茎段出现反光,幼苗停止生长，取出刺梨组培苗，于普通温室中的苗床上，温度保持在18‑28℃,湿度85%以上，温室通风良好，可提高刺梨炼苗成活率及苗期对病害的耐受性。可提高刺梨组培炼苗的成活率，极大降低炼苗过程中的污染率，加快刺梨人工育苗，有重要意义。

主权项

一种刺梨组培苗低温炼苗的方法，其特征在于，它由下述步骤组成：步骤一：将待炼苗移栽的刺梨组培苗移入炼苗培养室，用酒精喷雾降尘，高锰酸钾和甲醛密闭熏蒸20min；步骤二：将熏蒸后的刺梨组培苗于培养室温度15‑18℃，光照强度1800‑2000Lx，光照时间12h/d，通风良好的环境中培养5‑7d；步骤三：经过5‑7d的低温培养，将培养温度调低至10‑13℃，光照调整至1500‑1800Lx，继续培养8‑10d；步骤四：用镊子小心取出刺梨组培苗，于800倍多菌灵消毒液中浸泡60min，用湿毛巾盖住刺梨茎段及叶片部分，阴干茎段及根部表面水分后种植于事先配置好的炼苗基质中，移栽过程中，湿度不得低于85%，通风条件良好。