[发明专利]一种新型雪崩二极管光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种新型雪崩二极管光电探测器，包括由下往上依次层叠的N型电极、N型重掺杂层、单晶衬底、金属多功能层、InGaAs吸收层、P型重掺杂InGaAs层和P型电极。本发明适用范围广，可以在多种衬底上实现新型雪崩二极管光电探测器(APD)的可控生长，衬底可以采用多种材料，通过更换不同的衬底可实现可见光APD和红外APD，有利于降低生产成本；单晶衬底具有非常好的晶格完整性，更容易产生晶格碰撞，激发出更多的雪崩电子，提高APD的效率；新型APD的结构更加简单，金属多功能层可以同时起到外延缓冲层、电荷控制层、反射层和降低电子进入倍增层势垒的作用，其中反射层可将吸收层没有吸收完全的光再次反射到吸收层中，提高吸收效率。

主权项

一种新型雪崩二级管光电探测器，其特征在于，包括由下往上依次层叠的N型电极、N型重掺杂层、单晶衬底、金属多功能层、InGaAs吸收层、P型重掺杂InGaAs层和P型电极。