[发明专利]一种实现半导体产生负介电常数并对其进行调制的方法

摘要

本发明公开了一种半导体实现负介电常数的方法，并采用电信号对负介电常数进行调控的方法，具体为采用辐照源对半导体材料或半导体材料制作而成的半导体器件或半导体器件制作而成的电路进行辐照，与辐照前的样品相比较，辐照后的样品将会在一定频率范围内产生负介电常数；改变辐照后样品两极间的直流偏置电流或者直流偏置电压实现对负介电常数的调制。本发明实现了半导体材料器件在一定频率范围内的负介电常数，与现有采用人工周期性金属结构实现负介电常数相比，具有电学信号可调的特性，并且本发明不增加任何半导体材料和半导体器件以及电路制造的工艺步骤，不增加制作成本，对实现半导体在超材料领域的应用具有重要的意义。

主权项

一种实现半导体产生负介电常数并对其进行调制的方法，其特征在于：所述方法是采用辐照源对半导体材料或半导体材料制作成的半导体器件或半导体器件制作而成的电路进行辐照，采用改变辐照后半导体材料或半导体材料制作而成的半导体器件或半导体器件制作而成的电路两极的直流偏置电流或者直流偏置电压实现对负介电常数的调制；所述的半导体材料可以先辐照后再制作成器件，或者先制作成器件后再进行辐照；所述半导体器件可以先辐照再用于电路的制作，或者先制作成电路再进行辐照；所述半导体材料或半导体器件或电路包含至少两个电极；所述半导体材料和半导体器件和电路两极负载直流偏置电流或直流偏置电压对介电常数进行调制。