[发明专利]一种基于数学模型的闪存芯片寿命预测方法

摘要

本发明属于闪存芯片寿命预测技术，尤其是涉及一种基于数学模型的闪存芯片寿命预测方法。本发明首先通过闪存芯片测试系统收集样本闪存芯片的物理信息和寿命信息，然后用智能算法对测试获得的数据信息进行运算处理得到闪存芯片寿命预测模型，最后通过少量测试获得待预测闪存芯片的物理信息，将物理信息输入预测模型得到闪存芯片的预测寿命值。本发明中提出的闪存样本测试方法采用带约束的随机数据作为测试数据集合进行测试，能够更加有效地模拟闪存芯片实际使用过程中的数据操作，得到的闪存物理信息和寿命信息更具有价值。

主权项

一种基于数学模型的闪存芯片寿命预测方法，其特征在于，根据闪存芯片的一种物理量或几种物理量的组合预测闪存芯片的寿命预测值；所述闪存芯片物理量包括：闪存存储芯片的编程时间、读取时间、擦除时间、编程电流、读取电流、擦除电流、阈值电压分布和错误率；所述方法的具体步骤包括：步骤1，从闪存产品集合中抽取样本作为样本闪存，闪存产品集合中除样本闪存外为待测试闪存，并将样本闪存芯片与闪存测试系统连接开始测试收集建立闪存芯片寿命预测模型所需的闪存芯片物理信息与闪存芯片寿命信息；同时将待测试闪存芯片与闪存测试系统连接开始测试收集预测模型所需的闪存芯片物理信息与闪存芯片寿命信息；步骤2，将测试得到的一种物理信息或几种物理信息的组合作为算法中数学映射关系的输入变量，闪存芯片寿命预测值作为数学映射关系的输出变量，通过智能算法处理数据建立数学模型；步骤3，测试闪存寿命预测模型，将预测模型所需的闪存芯片物理量作为寿命预测模型的输入，计算寿命预测模型的输出值预测目标闪存产品的剩余寿命值。