[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710975019.1 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN108074934B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李炫虎 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 这里可提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置可包括：第一源种子层；第二源种子层，其被设置在第一源种子层上方与第一源种子层间隔开的位置处，并且源区域插置在第一源种子层与第二源种子层之间；单元插塞，其被配置为穿透第二源种子层并延伸到源区域中，所述单元插塞被设置在与第一源种子层间隔开的位置处。该半导体装置还可包括层间源层，该层间源层被配置为填充源区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：第一源种子层；第二源种子层，该第二源种子层被设置在所述第一源种子层上方与所述第一源种子层间隔开的位置处，并且源区域插置在所述第一源种子层与所述第二源种子层之间；单元插塞，所述单元插塞被配置为穿透所述第二源种子层并延伸到所述源区域中，所述单元插塞被设置在与所述第一源种子层间隔开的位置处；以及层间源层，该层间源层被配置为填充所述源区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
