[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710976438.7 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN107658265B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 长田昌也 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/498;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体基板，包括半导体；玻璃基板，在所述半导体基板的上方；电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧上；导体层，形成在至少所述半导体基板的所述第一表面上；孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板和所述电极层至所述导体层；以及配线层，其形成于所述孔中，通过在所述半导体基板的所述第一表面上的所述导体层电连接至所述电极层，所述配线层通过设置在所述配线层和所述电极层之间的绝缘层从所述电极层物理分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体基板，包括半导体；玻璃基板，在所述半导体基板的上方；电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧之上；导体层，形成在至少所述半导体基板的所述第一表面之上；孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板至导体层；以及配线层，其通过在所述半导体基板的第一表面上方的导体层电连接至电极层，配线层通过设置在配线层和电极层之间的绝缘层从电极层物理分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
