[发明专利]一种X射线探测器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710977868.0 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107887455A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 王凯;徐杨兵 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/119;H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司44100 | 代理人： | 林玉芳 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种X射线探测器件及其制作方法，该X射线探测器件包括衬底；底部栅电极，其形成在所述衬底上；栅绝缘层，形成在底部栅电极上；源电极和漏电极，形成在栅绝缘层上且相互隔开；光电半导体层，其形成在所述源电极和漏电极上；顶部电极，其形成在所述光电半导体层上，且所述顶部电极为导体材料，或者重掺杂的半导体材料。本发明的X射线探测器件通过调节栅极可以达到调节灵敏度的目的，并具有传感和开关的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射线 探测 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种X射线探测器件，其特征在于，包括：衬底；底部栅电极，其形成在所述衬底上；栅绝缘层，形成在底部栅电极上；源电极和漏电极，形成在栅绝缘层上；光电半导体层，其形成在所述源电极和漏电极上；顶部电极，其形成在所述光电半导体层上，且所述顶部电极与光电半导体层的接触为金属欧姆接触或金属肖特基接触或PN结接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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