[发明专利]一种极性半导体发光二极管有效
| 申请号： | 201710977998.4 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109671825B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 文正 | 申请（专利权）人： | 北京天元广建科技研发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 102200 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种极性半导体发光二极管，属于半导体器件技术领域，在不需要采用非极性AlInGaN半导体衬底材料的基础上，解决极性半导体发光二极管的发光效率退化问题。所述极性半导体发光二极管包括依次布置的重掺杂的N型接触层、重掺杂的P型有源区和肖特基金属层，所述重掺杂的P型有源区和所述肖特基金属层之间为肖特基接触。本发明提供的极性半导体发光二极管适用于强光照明和强光显示的设备，对节能和有效利用资源有重大意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种极性半导体发光二极管，其特征在于，包括依次布置的重掺杂的N型接触层、重掺杂的P型有源区和肖特基金属层，所述重掺杂的P型有源区和所述肖特基金属层之间为肖特基接触。
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