[发明专利]一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法有效
| 申请号： | 201710978282.6 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107674673B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 阿不都卡德尔·阿不都克尤木;艾力江·吐尔地 | 申请（专利权）人： | 喀什大学 |
| 主分类号： | C09K11/62 | 分类号： | C09K11/62;C01G15/00;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 844007 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 一种发射波长调控的长余辉纳米晶的制备方法，采用乙二醇辅助水热法制备，方法是：乙二醇为辅助剂，硝酸镓溶液、三氯化铟溶液为基质，掺杂铬离子混合溶液均匀搅拌，170℃下水特处理，离心分离并真空干燥，最后产物用马弗炉先后在700℃和1000℃下煅烧，制得平均粒径20纳米左右的发射波长调控的长余辉纳米晶。本发明的优点是：该方法制备的长余辉晶具有尺寸较小，发射波长可控在近红外光区内(770纳米左右)、余辉时间长等优良的性质；本发明操作简单、成本低、制备过程中不需要还原性气氛、对环境没有污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 波长 调控 余辉 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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