[发明专利]在物体表面形成保护层的方法及表面形成有保护层的产品在审
| 申请号： | 201710978383.3 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109675770A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 孙溯;杨平;张志强 | 申请（专利权）人： | 上海稷以科技有限公司 |
| 主分类号： | B05D1/00 | 分类号： | B05D1/00;B05D5/08;D06M10/08 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 200241 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种在物体表面形成保护层的方法，其特征在于，包括：将所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中，形成所述等离子体的气体至少包括由化学式(I)表示的化合物， |
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| 搜索关键词： | 碳原子数 保护层 等离子体 物体表面 烷基 表面暴露 表面形成 卤代芳基 卤代烷基 卤代烯基 硅烷基 硅氧基 烷氧基 芳基 烯基 | ||
【主权项】：
1.一种在物体表面形成保护层的方法，其特征在于，包括：将所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中，形成所述等离子体的气体至少包括由化学式(I)表示的化合物，![]()
其中，R1、R2、R3、R4分别独立地选自氢、氯、溴、碘、碳原子数1至20的烷基或卤代烷基、碳原子数2至20的烯基或卤代烯基、碳原子数1至20的烷氧基、碳原子数2至18的硅烷基、碳原子数3至18的硅氧基以及碳原子数6至12的芳基或卤代芳基。
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