[发明专利]半导体元件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710978729.X | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109273530B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 洪展羽;王琳松;陈郁仁;黄一珊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供具有缩小的栅极端宽度的栅极结构的半导体元件结构及其制造方法。在一例子中，半导体元件结构包含数个栅极结构形成在数个鳍状结构上。栅极结构实质上垂直鳍状结构。栅极结构包含具有第一栅极端宽度的第一栅极结构以及具有第二栅极端宽度的第二栅极结构。其中，第二栅极端宽度小于第一栅极端宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件结构，其特征在于，该半导体元件结构包含：多个栅极结构，形成在多个鳍状结构上，所述多个栅极结构垂直所述多个鳍状结构，其中所述多个栅极结构包含：一第一栅极结构，具有一第一栅极端宽度；以及一第二栅极结构，具有一第二栅极端宽度，其中该第二栅极端宽度小于该第一栅极端宽度。
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