[发明专利]能够适应高温的薄膜滤波器制造方法在审
| 申请号： | 201710979412.8 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107871709A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 罗志刚;宋旭;王东 | 申请（专利权）人： | 成都旭思特科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成都市东三环*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，依次进行以下步骤准备一块P型硅片；在所述P型硅片上进行硼扩散，在所述P型硅片上依次进行多晶硅淀积、三氯氧磷掺杂工艺，并通过光刻、腐蚀工艺制造出电阻以及电容的上电极，多晶硅的掺杂使用三氯氧磷掺杂工艺，多晶硅的方块电阻为180Ω；在所述P型硅片上依次进行溅射工艺、光刻、腐蚀工艺形成RC滤波器的金属层。本发明解决了现有技术存在的滤波器不能适应高温的问题，提供能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，其应用时降低滤波器的温度系数，从而提高产品的温度稳定性和适应性，从而使产品能够适应高温。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 适应 高温 薄膜 滤波器 制造 方法 | ||
【主权项】：
能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，其特征在于，依次进行以下步骤：A：准备一块P型硅片；B：在所述P型硅片上进行硼扩散，制造P+区；C：在所述P型硅片上依次进行干法氧化工艺、湿法氧化工艺、干法氧化工艺生长出厚度均匀的氧化层；D：在所述P型硅片上依次进行多晶硅淀积、三氯氧磷掺杂工艺，并通过光刻、腐蚀工艺制造出电阻以及电容的上电极；E：在所述P型硅片上依次进行溅射工艺、光刻、腐蚀工艺形成RC滤波器的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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