[发明专利]利用场与特征对比的TSV浴评估

摘要

本发明涉及利用场与特征对比的TSV浴评估，本文中的实施方式涉及用于确定特定的测试浴是否能够成功地填充衬底上的特征的方法和装置。在各种情况下，所述衬底是半导体衬底，特征是硅通孔。通常使用两个实验：第一实验模拟填充工艺中存在于衬底的场区中的条件，以及第二实验模拟填充工艺中存在于衬底上的特征的条件。来自这些实验的输出可以与各种技术使用以预测特定浴是否导致充分填充的特征。

主权项

一种用于评估受关注的电镀浴中的添加剂是否符合电镀规范的装置，所述装置包括：分析室；一个或多个入口，其用于将来自受关注的电镀浴的测试浴溶液和一个或多个附加的溶液提供到所述分析室；出口，其用于从所述分析室中除去流体；工作电极；电源；以及控制器，其具有指令以：(a)在第一电极与所述受关注的电镀浴接触的同时，使得电流被施加到所述第一电极，其中所述第一电极的表面没有被充分促进；(b)记录响应于所施加的电流所产生的所述第一电极的电输出；(c)在第二电极与所述受关注的电镀浴接触的同时，使得第二电流或者电位施加至所述第二电极的基本上完全促进的表面，其中基本上完全促进的表面具有吸附的促进剂的浓度为完全促进的表面所需的浓度的至少80％；(d)记录在施加所述第二电流或电位时的所述第二电极的第二电输出；和(e)根据包含在校准数据、所述第一电极的电输出和所述第二点击的第二电输出，判定所述受关注的电镀浴中的添加剂是否符合所述电镀规范，其中，所述电镀规范涉及所述受关注的电镀浴中的所述添加剂经过在可接受的时间段以从下往上的机制充分填充在所述衬底上的所述特征的能力，其中，所述校准数据是通过在已知产生可接受的填充结果的电解液和已知会产生不可接受的填充结果的电解液中执行所述步骤(a)‑(b)和/或所述步骤(c)‑(d)产生的，其中，所述校准数据包括选自下组中的一个或多个参数：阈值电流密度、阈值电荷密度、阈值时间以及阈值电位比率。