[发明专利]内嵌SDRAM存储器的FPGA、布局方法、设备及电路板在审

专利信息
申请号: 201710980415.3 申请日: 2017-10-19
公开(公告)号: CN107807890A 公开(公告)日: 2018-03-16
发明(设计)人: 任程程;杜金凤 申请(专利权)人: 广东高云半导体科技股份有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F1/32
代理公司: 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙)44325 代理人: 谭果林
地址: 528000 广东省佛山市顺德区容桂街道办事处*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种内嵌SDRAM存储器的FPGA及布局方法,布局方法包括根据所述SDRAM存储器的端口参数确定所述SDRAM控制器的端口参数,使所述SDRAM存储器的端口与所述SDRAM控制器的端口形成一一对应关系;根据所述SDRAM存储器的端口参数确定所述FPGA的输入输出单元的端口参数,使所述输入输出单元的端口分别与所述SDRAM控制器和所述SDRAM存储器的端口形成一一对应关系;将通信指令烧录至所述FPGA中,建立所述输入输出单元端口与所述SDRAM控制器端口以及所述SDRAM存储器端口之间的通信连接关系;根据所述输入输出单元端口与所述SDRAM控制器端口之间的通信连接关系将SDRAM控制器的端口布局在所述输入输出单元的端口上,该发明具有减少信息传输延时,达到高速传输的目的。
搜索关键词: sdram 存储器 fpga 布局 方法 设备 电路板
【主权项】:
一种内嵌SDRAM存储器的FPGA的布局方法,其特征在于,所述FPGA包括SDRAM控制器和SDRAM存储器,所述布局方法包括:根据所述SDRAM存储器的端口参数确定所述SDRAM控制器的端口参数,使所述SDRAM存储器的端口与所述SDRAM控制器的端口形成一一对应关系;根据所述SDRAM存储器的端口参数确定所述FPGA的输入输出单元的端口参数,使所述输入输出单元的端口分别与所述SDRAM控制器和所述SDRAM存储器的端口形成一一对应关系;将通信指令烧录至所述FPGA中,建立所述输入输出单元端口与所述SDRAM控制器端口以及所述SDRAM存储器端口之间的通信连接关系;根据所述输入输出单元端口与所述SDRAM控制器端口之间的通信连接关系将所述SDRAM控制器的端口布局在所述输入输出单元的端口上。
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