[发明专利]基于标准CMOS工艺的ISFET器件敏感膜制作方法有效
| 申请号： | 201710981238.0 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107884460B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杨翎;张雪莲;张强;王琛瑜;节俊尧;俞育德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于标准CMOS工艺的ISFET器件敏感膜制作方法，包括制备敏感膜，其中，所述制备敏感膜包括：准备含有外部钝化层和钝化层下方的TiN层结构的ISFET器件；从ISFET器件外部向下刻蚀部分钝化层、刻蚀全部钝化层、刻蚀至部分TiN层或刻蚀全部TiN层；和/或沉积敏感膜。本发明的方法制成了高质量的敏感膜，同时敏感膜与器件顶层金属距离合适，提升了器件的敏感能力。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 标准 cmos 工艺 isfet 器件 敏感 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于标准COMS工艺的ISFET器件敏感膜制作方法，包括制备敏感膜，其中，所述制备敏感膜包括：准备含有外部钝化层和钝化层下方的TiN层结构的ISFET器件；从ISFET器件外部向下刻蚀部分钝化层、刻蚀全部钝化层、刻蚀至部分TiN层或刻蚀全部TiN层；和/或沉积敏感膜。
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