[发明专利]一种带有源多路反馈的超宽带微波低噪声放大器在审

专利信息
申请号: 201710982298.4 申请日: 2017-10-19
公开(公告)号: CN107846195A 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 闫旭;林福江 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H03F1/34 分类号: H03F1/34
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 代理人: 杨学明,顾炜
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种带有源多路反馈的超宽带微波低噪声放大器,实现了超宽带和超宽低噪声。该带有源多路反馈的超宽带微波低噪声放大器包括输入模块(1)、级间有源多路反馈模块(2)和输出模块(3)。本发明中的有源多路反馈由FET晶体管构成的源级跟随器及反馈电阻组成。通过使用有源多路反馈,实现了低噪声放大器的阻抗匹配,工作稳定和增益平坦。此外,通过使用源端负反馈电路,进一步补偿了低噪声放大器的高频响应。大面积的背孔接地降低了接地电感效应,提升了带宽。本发明为全片上单片微波集成电路,无电感、级间隔直电容设计,结构简单,易集成,占用芯片面积小。
搜索关键词: 一种 有源 反馈 宽带 微波 低噪声放大器
【主权项】:
一种带有源多路反馈的超宽带微波低噪声放大器,其特征在于:包括输入模块(1)、级间有源多路反馈模块(2)和输出模块(3),其中,输入模块(1)由FET晶体管NM1以及负载电阻RD1构成,NM1为共源放大组态,输入信号通过隔直电容Cin交流耦合至NM1的栅端,NM1的漏端连接RD1通过片外高频扼流圈电感Lchock与电源VDD相连,NM1的源端通过背孔Backvia1接地;级间有源多路反馈模块(2)由FET晶体管NM2以及反馈电阻RF1、RF2、RF3和RF4构成,NM2为源级跟随器组态,RF1、RF2和RF3相连构成公共节点A,RF1跨接在NM1的栅端和节点A之间,RF2连接NM2的源端和节点A,RF3连接NM3的源端和节点A,RF4跨接在NM1的源端和NM2的漏端之间,NM2的栅端与NM1的漏端直接相连,其中NM2、RF1和RF2构成第一路有源负反馈,实现了低噪声放大器的输入阻抗匹配,源级跟随器的使用,直流上隔离了NM1和NM2,使得NM1和NM2可以独立偏置,交流上将经过NM1共源放大的信号耦合至NM3的栅端,提高了低噪声放大器的反向隔离性能,RF4构成另一路负反馈,稳定了低噪声放大器的增益,并为NM2提供交流负载,RF2、RF3和NM3构成了第三路负反馈,调节了NM3的直流偏置状态,提升了低噪声放大器的增益,此外,RF1和RF3串联跨接在NM1栅端和NM3源端之间,构成了第四路反馈,使得一部分输入信号交流耦合至NM3源端,提升了低噪声放大器的输出匹配特性;输出模块(3)由FET晶体管NM3及反馈电阻RE1、电容CE1构成,NM3为共源放大组态;NM3的栅端与NM2的源端相连,NM3的源端通过并联电容CE1和电阻RE1与背孔Backvia2相连接地,NM3的漏端与NM2的漏端相连,且通过片外高频扼流圈电感Lchock与电源VDD相连,输出信号通过输出隔直电容Cout由NM3的漏端引出;并联电容CE1和电阻RE1构成了源端负反馈电路,补偿了低噪声放大器的高频特性,提升了低噪声放大器的稳定性。
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