[发明专利]具有堆叠的纳米线状沟道的场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710983853.5 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107978630B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 马克·S·罗德尔;博尔纳·奥布拉多维奇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了具有堆叠的纳米线状沟道的场效应晶体管及其制造方法。场效应晶体管包括具有纳米线状沟道区的堆叠体的鳍。堆叠体至少包括第一纳米线状沟道区和在第一纳米线状沟道区上堆叠的第二纳米线状沟道区。FET包括在鳍的相对侧上的源电极和漏电极。FET还包括在第一纳米线状沟道区与第二纳米线状沟道区之间的包含SiGe的介电分隔区，介电分隔区从第二纳米线状沟道区的面对第一纳米线状沟道区的表面完全延伸到第一纳米线状沟道区的面对第二纳米线状沟道区的表面。FET包括沿堆叠体的一对侧壁延伸的栅极堆叠体。栅极堆叠体包括栅极介电层和在栅极介电层上的金属层。金属层不在第一纳米线状沟道区与第二纳米线状沟道区之间延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 纳米 线状 沟道 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于nFET和/或pFET装置的场效应晶体管，所述场效应晶体管包括：鳍，包括纳米线状沟道区的堆叠体，所述纳米线状沟道区的堆叠体至少包括第一纳米线状沟道区和堆叠在第一纳米线状沟道区上的第二纳米线状沟道区；源电极和漏电极，位于鳍的相对侧上；介电分隔区，位于第一纳米线状沟道区与第二纳米线状沟道区之间并且包含SiGe，介电分隔区从第二纳米线状沟道区的面对第一纳米线状沟道区的表面完全地延伸到第一纳米线状沟道区的面对第二纳米线状沟道区的表面；栅极堆叠体，沿着纳米线状沟道区的堆叠体的一对侧壁延伸，栅极堆叠体包括栅极介电层和位于栅极介电层上的金属层，其中，栅极堆叠体的金属层不在第一纳米线状沟道区与第二纳米线状沟道区之间延伸。
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