[发明专利]一种微流体激励微器件自装配装置及方法有效
申请号: | 201710985539.0 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN107644827B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 刘天军;刘青苑;张杨 | 申请(专利权)人: | 常州工学院 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 高桂珍 |
地址: | 213032 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种微流体激励微元件自装配装置及方法。该装置包括基板和隔板,基板上具有刻蚀出的凹坑阵列,每个凹坑与微元件的外形相匹配,微元件由载体溶液承载,隔板与基板构成装配腔,隔板上开有与基板上的凹坑相对应的微喷阵列,两个弯曲型压电振子分别贴在弹性薄膜上,单向阀与隔板及弹性薄膜构成封闭腔体,溶液从单向阀流入并从微喷阵列喷出,两个弯曲型压电振子由驱动电源及计算机控制。本发明利用压电振动对基板上的未有与基板完全嵌合的微元件进行流体激励,使其获得能量超过部分微元件不能与基板完全嵌合时形成的能量陷阱,实现微元件与基板完全嵌合;流体激励采用压电驱动,可以在频率、激励强度上进行数字化调节,提高装配成功率。 | ||
搜索关键词: | 一种 流体 激励 器件 装配 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微流体激励微器件自装配装置,其特征在于:包括基板(1)和隔板(4),所述基板(1)上具有刻蚀出的凹坑阵列,所述凹坑阵列中的每个凹坑与从硅片上加工制造出的微元件(2)的外形相匹配,所述微元件(2)由载体溶液(3)承载,所述隔板(4)与基板(1)构成装配腔,所述隔板(4)上开有与基板(1)上的凹坑相对应的微喷阵列(5),两个弯曲型压电振子分别贴在弹性薄膜(8)上,单向阀(9)与隔板(4)及弹性薄膜(8)构成封闭腔体,溶液(3)从单向阀(9)流入并从微喷阵列(5)喷出,两个弯曲型压电振子由驱动电源(10)及计算机(11)控制;过量的微元件(2)分散悬浮在选定的载体溶液(3)中,在压力的驱动下从基板(1)和隔板(4)中流过,隔板(4)和弹性薄膜(8)中的载体溶液不含微元件(2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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