[发明专利]一种超级结器件及制造方法在审
| 申请号： | 201710985615.8 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN109698228A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于集成电路制造技术领域，提供了一种超级结器件及制造方法，本发明提供的超级结器件至少包括：半导体衬底、外延层、漂移区、超级结P柱结构、源区、沟道区、离子注入区、氧化物层、多晶硅栅极；所述超级结P柱结构为多段结构，包括一个或多个第一超级结P柱结构和一个或多个第二超级结P柱结构，所述第一超级结P柱结构与所述沟道区接触，所述第二超级结P柱结构与所述半导体衬底上的外延层接触，所述第一超级结P柱结构与所述第二超级结P柱结构之间互不接触。通过在漂移区引入多个互不接触的超级结P柱结构能够大幅降低超级结器件在低压下的输出电容。 | ||
| 搜索关键词： | 超级结 超级结器件 互不接触 沟道区 漂移区 外延层 衬底 半导体 集成电路制造技术 多晶硅栅极 离子注入区 多段结构 输出电容 氧化物层 源区 制造 引入 | ||
【主权项】：
1.一种超级结器件，其特征在于，至少包括：半导体衬底、外延层、漂移区、超级结P柱结构、源区、沟道区、离子注入区、氧化物层、多晶硅栅极；所述超级结P柱结构为多段结构，包括一个或多个第一超级结P柱结构和一个或多个第二超级结P柱结构，所述第一超级结P柱结构和所述第二超级结P柱结构均位于所述漂移区内，所述第一超级结P柱结构与所述沟道区接触，所述第二超级结P柱结构与所述半导体衬底上的所述外延层接触，所述第一超级结P柱结构与所述第二超级结P柱结构之间互不接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳尚阳通科技有限公司，未经深圳尚阳通科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710985615.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种OLED显示面板
- 下一篇：半导体功率元件
- 同类专利
- 专利分类
