[发明专利]具有深沟槽隔离结构的主动及被动组件

摘要

本发明涉及具有深沟槽隔离结构的主动及被动组件，其关于半导体结构，并且更尤指具有深沟槽隔离结构的主动及被动射频(RF)组件、以及制造方法。该结构包括具有深沟槽隔离结构的主体高电阻率芯片，该深沟槽隔离结构具有比该主体高电阻率芯片上所形成的装置间的最坏情况偏压差下的最大空乏深度更深的深度。

主权项

1.一种结构，包含具有深沟槽隔离结构的主体高电阻率芯片，该深沟槽隔离结构具有比该主体高电阻率芯片上所形成的装置间最坏情况偏压差下的最大空乏深度更深的深度。

2.如权利要求1所述的结构，其中，该主体高电阻率芯片是所具电阻率为约1Kohm‑cm至大于10Kohm‑cm的主体Si芯片。

3.如权利要求1所述的结构，其中，该装置是主动装置。

4.如权利要求3所述的结构，其中，该主体高电阻率芯片包括三重阱区及位在该三重阱区中的阱区，而该深沟槽隔离结构是形成于该三重阱区下面，用以使连至衬底空乏区的三重阱免于合并及隔离相邻的该三重阱区及p阱区。

5.如权利要求1所述的结构，其中，该深沟槽隔离结构围绕各个该装置。

6.如权利要求1所述的结构，其中，该深沟槽隔离结构在该主体高电阻率芯片的空乏区下面延展。

7.如权利要求3所述的结构，其中，该主动装置是射频开关。

8.如权利要求1所述的结构，其中，该主体高电阻率芯片包括阱区，而该深沟槽隔离结构形成于该阱区下面。

9.如权利要求1所述的结构，其中，连至该主体高电阻率芯片的背面研磨介面形成该深沟槽隔离结构，以使该阱区及主动装置与直流衬底电流完全隔离。

10.如权利要求1所述的结构，其中，该深沟槽隔离结构是由绝缘体材料及已排齐侧壁所组成。

11.如权利要求1所述的结构，其中，该深沟槽隔离结构是由绝缘体材料及气隙所组成。

12.一种结构，包含：

主体芯片，具有至少一个阱区；

多个射频(RF)装置，在该至少一个阱区上方形成在该主体芯片上；以及

深沟槽隔离结构，在该至少一个阱区下面在该主体芯片内延展、并经结构化以防止该多个RF装置的装置空乏区之间出现耦合。

13.如权利要求12所述的结构，其中，该至少一个阱区是形成于三重阱区中的阱区。

14.如权利要求12所述的结构，其中，该主体芯片是所具电阻率约1Kohm‑cm至大于10Kohm‑cm的半导体主体芯片。

15.如权利要求12所述的结构，其中，该深沟槽隔离结构围绕该多个RF装置中的各者。

16.如权利要求12所述的结构，其中，该深沟槽隔离结构在该主体芯片的空乏区下面延展。

17.如权利要求12所述的结构，其中，连至该主体衬底的背面研磨介面形成该深沟槽隔离结构，以使相邻的阱区及该RF装置与直流衬底电流完全隔离。

18.如权利要求12所述的结构，其中，该深沟槽隔离结构是由绝缘体材料及气隙所组成。

19.一种方法，包含：

在主体高电阻率衬底中形成至少一个阱体；

在该主体高电阻率衬底上及该至少一个阱体上面形成多个主动装置；以及

在该衬底中及在相邻主动装置之间形成深沟槽隔离结构，该深沟槽隔离结构是在该至少一个阱体下面形成，并且形成至经选择比最高芯片电阻率规格的最坏情况空乏深度更深的深度。

20.如权利要求19所述的方法，其中，该深沟槽隔离结构是形成至低于该主体高电阻率衬底的后背面研磨深度，并且自该主体高电阻率衬底的背面研磨该主体高电阻率衬底以曝露该深沟槽隔离结构。