[发明专利]低温薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201710985781.8 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107768255A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;陈雪;张国祯;刘昌 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/443;H01L21/02;H01L29/22 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 俞琳娟 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种低温薄膜晶体管的制备方法，无需退火就能够制备出面积大而均匀、并且性能优良的薄膜晶体管，其特征在于，包括以下步骤步骤1.将沉积有导电薄膜的衬底放入ALD反应室中，然后进行抽真空及升温处理；步骤2.于室温～120℃下，生长k值为7～170的高k材料作为栅绝缘层，栅绝缘层的厚度为15～150nm；步骤3.于室温～120℃下，直接原位生长ZnO沟道层，沟道层的厚度为10～50nm；步骤4.将步骤3所得的器件，进行紫外曝光，刻蚀沟道后进行二次光刻，蒸镀源漏电极，无需退火处理，制得底栅型低温薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.将沉积有导电薄膜的衬底放入ALD反应室中，然后进行抽真空及升温处理；步骤2.于室温～120℃下，生长k值为7～170的高k材料作为栅绝缘层，栅绝缘层的厚度为15～150nm；步骤3.于室温～120℃下，直接原位生长ZnO沟道层，沟道层的厚度为10～50nm；步骤4.对步骤3所得的器件，进行紫外曝光，刻蚀沟道后进行二次光刻，蒸镀源漏电极，无需退火处理，制得底栅型低温薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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