[发明专利]一种自适应闪存写入操作控制方法及电路有效
| 申请号： | 201710986267.6 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107644666B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 洪亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自适应闪存写入操作控制方法及电路，该方法包括如下步骤：步骤一，当处理写入操作时，对两个参考单元的阈值电压进行检测；步骤二，将检测的阈值电压与不同参考阈值比较，根据比较结果判断当前行的阈值范围，从而取得当前行所处状态，继而判断相应的预编程，擦除，渐进擦除或编程操作,本发明可自适应的对闪存对应行进行擦除或写入操作，有效的防止对存储单元的过度擦除导致的过饱和失效，同时针对擦除不足的行，通过渐进式擦除机制，防止因擦除不足造成的闪存失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自适应 闪存 写入 操作 控制 方法 电路 | ||
【主权项】：
一种自适应闪存写入操作控制方法，包括如下步骤：步骤一，当处理写入操作时，对两个参考单元的阈值电压进行检测；步骤二，将检测的阈值电压与不同参考阈值比较，根据比较结果判断当前行的阈值范围，从而取得当前行所处状态，继而判断相应的预编程、擦除、渐进擦除或编程操作。
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