[发明专利]半导体器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；缓冲层，形成于半导体衬底上；电势调节叠层结构，形成于缓冲层上，用于调节半导体衬底表面的电势，电势调节叠层结构包括形成于缓冲层上的第一电势调节层及形成于第一电势调节层上的第二电势调节层，其中，第一电势调节层包括高介电常数材料层，第二电势调节层包括导电材料层或高介电常数材料层。本发明通过在缓冲层上形成包括第一电势调节层及第二电势调节层的电势调节叠层结构，可以实现电势调节叠层结构与半导体衬底之间更大的功函数差，从而改变半导体衬底表面的电势，降低半导体衬底表面暗电流的发生，从而进一步抑制暗电流，改善图像质量。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体衬底；缓冲层，形成于所述半导体衬底上；电势调节叠层结构，形成于所述缓冲层上，用于调节半导体衬底表面的电势，所述电势调节叠层结构包括形成于所述缓冲层上的第一电势调节层及形成于所述第一电势调节层上的第二电势调节层，其中，所述第一电势调节层包括高介电常数材料层，所述第二电势调节层包括导电材料层或高k介电常数材料层。