[发明专利]一种高电流注入密度的半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710986641.2 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN109698465A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 任夫洋;苏建;陈康;王金翠;肖成峰;郑兆河 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种高电流注入密度的半导体激光器，在窄脊条上GaAs接触层为内缩结构。本发明在外延片上生长做干法刻蚀用的硬质掩膜，在生长有硬质掩膜的外延片上旋涂光刻胶，并利用设定尺寸的光刻版光刻得到与所需脊条尺寸相近的光刻胶掩膜图形；使用干法刻蚀的方式以光刻胶为掩膜刻蚀硬质掩膜，继续以干法刻蚀掉外延层，形成≤5μm宽度的脊条结构；腐蚀GaAs接触层，形成内缩的脊条；再次生长SiO2做电流阻挡层；湿法腐蚀的方式去除掉GaAs接触层上表面电流阻挡层，最后形成半导体激光器。本发明利用干法刻蚀侧壁形成陡直窄脊型结构，并减小脊条顶部GaAs接触尺寸，提高了电流注入密度，增强光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 脊条 干法刻蚀 半导体激光器 硬质掩膜 电流阻挡层 高电流 光刻胶 外延片 内缩 生长 光刻胶掩膜图形 光电转换效率 脊型结构 湿法腐蚀 光刻版 上表面 外延层 侧壁 除掉 光刻 减小 刻蚀 上旋 掩膜 制备 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种高电流注入密度的半导体激光器，其特征在于，该激光器包括：由下而上依次设置的N‑电极、衬底、N‑限制层、下波导层、量子肼有源区、上波导层、P‑限制层和GaAs接触层；所述上波导层的宽度、P‑限制层的宽度均小于量子肼有源区的宽度；所述GaAs接触层的宽度小于P‑限制层的宽度；在所述量子肼有源区、上波导层的侧壁、P‑限制层的侧壁和GaAs接触层的侧壁设置有电流阻挡层；在所述电流阻挡层和GaAs接触层的上表面设置有P‑电极。
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