[发明专利]存储器及其制备方法、半导体器件

摘要

本发明提供了一种存储器及其制备方法、半导体器件，在衬底上形成多个呈阵列排布且沿第一方向延伸的有源区，有源区中形成有位线接触区和存储节点接触区，在衬底内形成多条沿第二方向延伸的字线，以及多条沿第三方向延伸的位线，然后在有源区上形成存储节点接触，存储节点接触与存储节点接触区对应连接，之后在衬底上形成接触垫，接触垫与存储节点接触电性连接并相对于存储节点接触沿着第二方向偏移延伸，并且接触垫的排列图案不同于存储节点接触的排布图案，在接触垫上形成的存储电容能够获得较高的排布密度，由此提高存储器的集成度。

主权项

一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成多个呈阵列排布且沿第一方向延伸的有源区，每一所述有源区中形成有一位线接触区和多个存储节点接触区，所述存储节点接触区延伸在所述有源区的延伸方向上并位于所述位线接触区的两侧；形成多条沿第二方向延伸的字线在所述衬底内；形成多条沿第三方向延伸的位线在所述衬底上，所述位线与相应的所述有源区相交以使相应的所述有源区中的所述位线接触区连接至所述位线；形成多个存储节点接触在所述衬底的所述有源区上，所述存储节点接触与所述存储节点接触区对应连接；以及形成多个接触垫在所述衬底上，所述接触垫与对应的所述存储节点接触电性连接并相对于连接的所述存储节点接触沿着所述第二方向偏移延伸，并且所述接触垫的排列图案不同于所述存储节点接触的排列图案。