[发明专利]晶振驱动电路有效
| 申请号： | 201710990918.9 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107666314B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 邵博闻 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03L3/00 | 分类号： | H03L3/00;H03L5/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了晶振驱动电路，包括：第一～第六MOS、第一～第二电阻和隔直耦合装置；第一～第三MOS的第一端连接电源电压，第四～第六MOS的第一端连接地；第一MOS第二端通过第一电阻连接第四MOS第二端，第二MOS的第二端连接第五MOS第二端，第三MOS第二端连接第六MOS第二端；第一～第三MOS的第三端互连并与第五MOS的第二端连接，第四MOS第三端连接隔直耦合装置第一端，第五MOS第三端连接在第四MOS第二端和第一电阻之间，第六MOS第三端连接隔直耦合装置第二端；隔直耦合装置第一端连接在第一MOS第二端和第一电阻之间，隔直耦合装置第二端通过第二电阻连接第三MOS第二端。本发明的晶振驱动电路相对现有技术振幅能够受控并且功耗更低。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种晶振驱动电路，其特征在于，包括：第一~第六MOS、第一~第二电阻和隔直耦合装置；第一~第三MOS的第一端连接电源电压，第四~第六MOS的第一端连接地；第一MOS第二端通过第一电阻连接第四MOS第二端，第二MOS的第二端连接第五MOS第二端，第三MOS第二端连接第六MOS第二端；第一~第三MOS的第三端互连并与第五MOS的第二端连接，第四MOS第三端连接隔直耦合装置第一端，第五MOS第三端连接在第四MOS第二端和第一电阻之间，第六MOS第三端连接隔直耦合装置第二端；隔直耦合装置第一端连接在第一MOS第二端和第一电阻之间，隔直耦合装置第二端通过第二电阻连接第三MOS第二端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710990918.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
