[发明专利]一种用于生长硼硅酸镧晶体的方法在审
| 申请号： | 201710993403.4 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107541781A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 李凌云;林燕萍;王国强;潘坚福;杨志锋;蔡秋婵;于岩 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B9/12 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350116 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于生长LaBSiO5晶体或激活离子掺杂LaBSiO5晶体的方法，采用熔盐法制备，熔盐体系中包括LaBO3、Li2MoO4、SiO2化合物。用x1、x2、x3 分别表示体系中LaBO3、Li2MoO4和SiO2的摩尔百分含量，则这三种化合物的含量比需满足0<x1<0.3,0.7≤x2<1,0<x3<0.3且x1+x2+x3=1；晶体的生长温度区间为1000℃‑850℃。在制备LaBSiO5晶体时，可向其中掺杂Y3+、Tm3+、Eu3+离子等，这些激活离子替代晶格中的La3+或者B3+离子，从而制备出激活离子掺杂的LaBSiO5晶体。涉及光电子功能材料技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 硅酸 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生长LaBSiO5晶体的方法，其特征在于：采用熔盐法制备LaBSiO5晶体，熔盐体系中包括LaBO3、Li2MoO4、SiO2化合物；用x1、 x2、 x3 分别表示体系中LaBO3、 Li2MoO4和SiO2的摩尔百分含量，则这三种化合物的含量比需满足0<x1<0.3, 0.7≤x2<1, 0<x3<0.3且x1+x2+x3=1；晶体的生长温度区间为1000℃‑850℃。
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