[发明专利]自动测方阻设备有效
申请号: | 201710994286.3 | 申请日: | 2017-10-23 |
公开(公告)号: | CN107591342B | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 袁华斌 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 郑云 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种自动测方阻设备,通过控制部分控制上料区将装满硅片的花篮输送至下片区,下片区将花篮内的硅片逐一卸下并输送至第一缓存区,第一缓存区将硅片输送至校正区,校正区将硅片校正后输送至测试区进行方阻测试,通过方阻测试完成的硅片被输送至第二缓存区,通过控制部分控制,跟设定标准对比后通过分片区分片后,将超过设定标准上限和超过设定标准下限的硅片分出,仅将方阻测试结果在正常范围内的硅片输送至上片区,并通过上片区将硅片放置在花篮上,最终将装满硅片的花篮通过下料区输送出去;有效避免了人工取片与测片带来的污染、破片与划伤的问题;自动化测试硅片方阻,大大提高了测试效率,可完成批量检测。 | ||
搜索关键词: | 自动 测方阻 设备 | ||
【主权项】:
一种自动测方阻设备,其特征在于:包括上料部分、测试部分、下料部分和控制部分,所述上料部分包括上料区(1)、下片区(2)、第一缓存区(3)和校正区(4),所述测试部分包括测试区(5),所述下料部分包括第二缓存区(6)、分片区(7)、上片区(8)和下料区(9),所述上料区(1)、下片区(2)、第一缓存区(3)、校正区(4)、测试区(5)、第二缓存区(6)、分片区(7)、上片区(8)和下料区(9)呈流水线依次设置,所述控制部分分别控制上料区(1)、下片区(2)、第一缓存区(3)、校正区(4)、测试区(5)、第二缓存区(6)、分片区(7)、上片区(8)和下料区(9)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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