[发明专利]一种半导体晶片光电化学机械抛光的方法有效
| 申请号： | 201710994759.X | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107641835B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 康仁科;董志刚;欧李苇;时康;朱祥龙;周平 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C25F3/30 | 分类号： | C25F3/30 |
| 代理公司： | 21212 大连东方专利代理有限责任公司 | 代理人： | 毛薇;李馨<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶片光电化学机械抛光的方法，包括以下步骤：将晶片固定在抛光液池中随抛光液池绕轴向旋转，抛光液池中的抛光液完全浸没晶片；将抛光垫固定在抛光轴上，经驱动与晶片产生相对运动；所述抛光垫与晶片的接触面积小于晶片的面积；抛光过程中采用紫外光辐照晶片；本发明具有紫外光线可在线实时辐照改性晶片，抛光去除率快，抛光前后粗糙度明显改善，抛光垫可对晶片表面进行定点抛光，操作简单，工艺参数灵活可调的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶片 光电 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片光电化学机械抛光的方法，其特征在于，包括以下步骤：⑴将晶片固定在抛光液池中随抛光液池绕轴向旋转，抛光液池中的抛光液完全浸没晶片；/n⑵将抛光垫固定在抛光轴上，经驱动与晶片产生相对运动；所述抛光垫与晶片的接触面积小于晶片的面积；/n⑶抛光过程中采用紫外光辐照晶片表面；/n所述抛光垫是含有磨料的抛光垫，所述磨料为氧化铈或者氧化硅中的一种或两种；/n所述抛光液包括纳米磨粒、氧化剂和水；所述纳米磨粒的含量为抛光液的0.05-20wt.％；所述氧化剂的含量为抛光液的0.1-10wt.％；/n所述纳米磨粒为纳米氧化铈磨粒或纳米二氧化硅磨粒。/n
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