[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201710995807.7 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109698119B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘少雄 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成虚拟栅极材料层，其中，所虚拟栅极材料层包括从下到上依次层叠的第一虚拟栅极材料层、虚拟栅极硬掩膜层和第二虚拟栅极材料层，其中，所述第一虚拟栅极材料层在所述半导体衬底上的分布具有一致的高度。根据本发明的半导体器件的制造方法，通过分步去除虚拟材料层取代一次性去除虚拟材料层有效减少了在涉及虚拟材料层去除步骤的栅极切断工艺与金属栅极形成工艺中因不同开口尺寸造成的负载效应所引起的栅极材料去除速率的不同，从而减小了刻蚀工艺导致在栅极去除或切断工艺中发生局部过刻蚀或局部欠刻蚀，最终提升了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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