[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置在审
| 申请号： | 201710995939.X | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107845676A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 武新国;王凤国;史大为;刘弘;王子峰;李峰;马波;郭志轩;李元博;段岑鸿;赵晶 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置。根据本发明的实施例，该薄膜晶体管包括衬底；第一源漏电极，所述第一源漏电极设置在所述衬底上；有源层，所述有源层设置在所述第一源漏电极远离所述衬底的一侧；第二源漏电极，所述第二源漏电极设置在所述有源层远离所述第一源漏电极的一侧，其中，所述第一源漏电极与所述第二源漏电极分别独立地与所述有源层相连。由此，该薄膜晶体管具有以下优点的至少之一占用面积小，减少了不透光部分的面积，提高了产品良率，有利于制备像素尺寸小、开口率高、分辨率高的显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；第一源漏电极，所述第一源漏电极设置在所述衬底上；有源层，所述有源层设置在所述第一源漏电极远离所述衬底的一侧；第二源漏电极，所述第二源漏电极设置在所述有源层远离所述第一源漏电极的一侧，其中，所述第一源漏电极与所述第二源漏电极分别独立地与所述有源层相连。
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