[发明专利]一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法有效
| 申请号： | 201710996898.6 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107747130B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 窦卫东 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B23/00 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 陆永强 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法，属于石墨烯技术领域。本发明可用于制备高性能有机场效应器件。在有机场效应器件中，石墨烯常用作电极涂层，利用石墨烯的高电导率及其对有机分子薄膜的结晶诱导作用，提高器件中载流子的注入和传输效率，从而改善器件性能。石墨烯基底通常会诱导金属酞菁分子形成垂直于石墨烯基底的π‑π堆栈结构，这种堆栈结构不利于载流子在平行于基底表面的横向方向上传输。本技术通过在石墨烯基底上修饰厚度为1纳米的铜纳米颗粒薄层，可以实现具有单晶结构，且分子π‑π堆栈方向平行于石墨烯基底的金属酞菁单晶薄膜可控生长。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯基 单晶薄膜 金属酞菁 石墨烯 修饰 载流子 堆栈结构 效应器 有机场 铜膜 制备 平行 有机分子薄膜 铜纳米颗粒 制备高性能 传输效率 单晶结构 电极涂层 堆栈方向 分子形成 高电导率 横向方向 基底表面 结晶诱导 可控生长 器件性能 诱导金属 薄层 可用 酞菁 垂直 传输 | ||
【主权项】：
1.一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法，其特征在于所述方法为：步骤(1)，将铜基石墨烯裁剪成所需尺寸，然后利用聚甲基丙烯酸甲酯辅助化学腐蚀法将铜基石墨烯上的石墨烯转移到目标基底上；步骤(2)，将目标基底置于真空加热装置中进行高温退火处理，把目标基底加热至500℃，并在500℃保持1小时，然后在真空状态下将目标基底自然冷却至室温，得到干净的石墨烯基底；步骤(3)，将石墨烯基底装载到真空腔体中，利用热沉积法制备铜膜，将铜膜沉积到石墨烯的表面；步骤(4)，将沉积有铜膜的石墨烯基底装载到真空腔体中，利用热沉积法制备金属酞菁单晶薄膜，将金属酞菁单晶薄膜沉积到铜膜的表面。
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