[发明专利]具有抗辐照结构的IGBT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710997718.6 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107845672A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 徐承福;朱阳军 | 申请（专利权）人： | 贵州芯长征科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 550081 贵州省贵阳市观山湖*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有抗辐照结构的IGBT器件及其制备方法，其包括第一导电类型基区以及设置于所述第一导电类型基区正面的正面元胞结构；在第一导电类型基区的背面设置第二导电类型集电区，在所述第二导电类型集电区的外圈设置埋氧层，埋氧层埋设在第一导电类型基区内，埋氧层在第一导电类型基区内的深度大于第二导电类型集电区在第一导电类型基区内的深度，第二导电类型集电区与埋氧层接触；所述第二导电类型集电区通过集电极连接引出体与位于第一导电类型基区正面上方的集电极金属电连接，集电极连接引出体通过内绝缘隔离体与第一导电类型基区的侧面绝缘隔离。本发明结构紧凑，能有效提高IGBT器件的抗辐照能力，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 辐照 结构 igbt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有抗辐照结构的IGBT器件，包括第一导电类型基区以及设置于所述第一导电类型基区正面的正面元胞结构；其特征是：在第一导电类型基区的背面设置第二导电类型集电区，在所述第二导电类型集电区的外圈设置埋氧层，埋氧层埋设在第一导电类型基区内，埋氧层在第一导电类型基区内的深度大于第二导电类型集电区在第一导电类型基区内的深度，第二导电类型集电区与埋氧层接触；所述第二导电类型集电区通过集电极连接引出体与位于第一导电类型基区正面上方的集电极金属电连接，集电极连接引出体通过内绝缘隔离体与第一导电类型基区的侧面绝缘隔离。
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