[发明专利]非对称的屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710997761.2 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107658342B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 徐承福;朱阳军 | 申请（专利权）人： | 贵州芯长征科技有限公司;南京芯长征科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 550081 贵州省贵阳市观山湖*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非对称的屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法，其在第一导电类型漂移层内设置第一元胞沟槽以及第二元胞沟槽，在所述第一元胞沟槽、第二元胞沟槽内均设置屏蔽栅结构；在第一元胞沟槽远离第二元胞沟槽的外侧设置第二导电类型第一基区，在第一元胞沟槽与第二元胞沟槽间设置第二导电类型第二基区，在第二元胞沟槽远离第一元胞沟槽的外侧设置第二导电类型第三基区，从而能形成非对称结构，利用所述非对称结构，能减少第一导电类型源区与第二导电类型基区的接触面积，且能提供更多的电流泄放路径，减少了第一导电类型源区下方的电流，进一步减少了寄生三极管开启的可能性，从而提高了屏蔽栅MOSFET器件的雪崩电流。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 屏蔽 mosfet 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非对称的屏蔽栅MOSFET结构，包括至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括第一导电类型衬底以及位于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移层；其特征是：在所述第一导电类型漂移层内设置第一元胞沟槽以及第二元胞沟槽，在所述第一元胞沟槽、第二元胞沟槽内均设置屏蔽栅结构；在第一元胞沟槽远离第二元胞沟槽的外侧设置第二导电类型第一基区，在第一元胞沟槽与第二元胞沟槽间设置第二导电类型第二基区，在第二元胞沟槽远离第一元胞沟槽的外侧设置第二导电类型第三基区，第二导电类型第一基区与第一元胞沟槽的侧壁接触，第二导电类型第二基区同时与第一元胞沟槽的侧壁以及第二元胞沟槽的侧壁接触，第二导电类型第三基区与第二元胞沟槽的侧壁接触；在第二导电类型第一基区、第二导电类型第三基区内均设有第一导电类型源区，第二导电类型第一基区内的第一导电类型源区与第一元胞沟槽的侧壁接触，第二导电类型第三基区内的第一导电类型源区与第二元胞沟槽的侧壁接触；在第一导电类型漂移层上方设置源极金属，所述源极金属同时与第二导电类型第一基区、位于第二导电类型第一基区内的第一导电类型源区、第二导电类型第三基区以及位于第二导电类型第三基区内的第一导电类型源区欧姆接触。
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