[发明专利]沟槽栅超结MOSFET器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710997848.X 申请日: 2017-10-24
公开(公告)号: CN107591453A 公开(公告)日: 2018-01-16
发明(设计)人: 徐承福;朱阳军 申请(专利权)人: 贵州芯长征科技有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司32293 代理人: 韩凤
地址: 550081 贵州省贵阳市观山湖*** 国省代码: 贵州;52
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种沟槽栅超结MOSFET器件及其制备方法,其包括半导体基板以及位于所述半导体基板中心区的元胞区,半导体基板包括第一导电类型衬底以及位于所述第一导电类型衬底上方的第一导电类型外延层;在元胞区的第一导电类型外延层内设置超结结构,第二导电类型柱与第一导电类型外延层能形成超结结构,在相邻的第二导电类型柱间设置元胞沟槽,元胞沟槽内设置绝缘氧化层以及导电多晶硅,利用超级结构以及沟槽栅结构能有效降低导通电阻;绝缘氧化层覆盖元胞沟槽槽口外的第一导电类型外延层,导电多晶硅同时覆盖在元胞沟槽槽口外的绝缘氧化层上,利用元胞沟槽槽口外的绝缘氧化层以及奥迪多晶硅可以提高雪崩耐量,结构紧凑,安全可靠。
搜索关键词: 沟槽 栅超结 mosfet 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
一种沟槽栅超结MOSFET器件,包括半导体基板以及位于所述半导体基板中心区的元胞区,半导体基板包括第一导电类型衬底以及位于所述第一导电类型衬底上方的第一导电类型外延层;在元胞区的第一导电类型外延层内设置超结结构,所述超结结构包括若干交替分布的第一导电类型柱以及第二导电类型柱;其特征是:所述第二导电类型柱从第一导电类型外延层的顶部垂直向下延伸,在相邻第二导电类型柱之间设置元胞沟槽,在所述元胞沟槽的侧壁外上方设置第二导电类型基区,所述第二导电类型基区与元胞沟槽的侧壁以及相应的第二导电类型柱接触;在第二导电类型基区内设置第一导电类型源区;元胞沟槽的深度小于第二导电类型柱在第一导电类型外延层内的深度;在元胞沟槽内设置绝缘氧化层,所述绝缘氧化层覆盖元胞沟槽的侧壁以及底壁,且绝缘氧化层还覆盖在元胞沟槽槽口外侧的第一导电类型外延层上;在设置有绝缘氧化层的元胞沟槽内填充有导电多晶硅,且导电多晶硅还覆盖在元胞沟槽槽口外的绝缘氧化层上;在第一导电类型外延层上还设置源极金属,所述源极金属与第二导电类型柱、第二导电类型基区以及第一导电类型源区欧姆接触,源极金属通过绝缘介质层与导电多晶硅绝缘隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州芯长征科技有限公司,未经贵州芯长征科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710997848.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top