[发明专利]提高耐压的屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710997883.1 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107731908B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 徐承福;朱阳军 | 申请（专利权）人： | 贵州芯长征科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 550081 贵州省贵阳市观山湖*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MOSFET结构及其制备方法，尤其是一种提高耐压的屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法，属于半导体器件的技术领域。元胞沟槽内设置屏蔽栅结构，在元胞沟槽的槽底设置一个或多个第二导电类型岛区，第二导电类型岛区依次竖向排列且最上端的第二导电类型岛区与元胞沟槽的槽底接触，利用第二导电类型岛区以及第一导电类型辅助层能有效增加沟槽的深度，优化元胞沟槽的槽底掺杂，能进一步提高MOSFET器件的耐压能力，与现有工艺兼容，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 耐压 屏蔽 mosfet 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高耐压的屏蔽栅MOSFET结构，包括至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括第一导电类型衬底以及位于所述第一导电类型衬底上方的第一导电类型漂移层；在所述第一导电类型漂移层内设置元胞沟槽，元胞沟槽内设置屏蔽栅结构；在元胞沟槽侧壁外上方设有第二导电类型基区以及位于所述第二导电类型基区的第一导电类型源区；其特征是：在所述元胞沟槽槽底的正下方设置至少一个第二导电类型岛区，第二导电类型岛区位于第一导电类型漂移层内，且所述邻近元胞沟槽槽底的第二导电类型岛区与元胞沟槽的槽底接触。
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